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| 氧化釩鍍膜薄膜技術 |
| 發布時間：2015-01-06 瀏覽： 次 |
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氧化釩薄膜及其在微電子和光電範疇在的使用已成為國際上新穎功用資料研討熱門之一。 因氧化釩薄膜具有高的電阻文檔係數(TCR)值，其阻值隨入射輻射導致的溫升有十分活絡的改動，微測輻射熱計正是利用了這一特性，因而氧化釩薄膜在紅外勘探和紅外成像方麵具有廣泛的使用遠景。 因而，優化技術參數製備出高功能的氧化釩薄膜是亟待解決的課題。本論文在低溫下以高純金屬釩作靶材，用直流磁控濺射的辦法製備出了氧化釩薄膜。 經過規劃正交試驗，係統剖析了氬氣和氧氣的流量比，濺射功率，作業壓強，基地溫度對氧化釩薄膜TCR的影響，取得了這四個要素對TCR值遍及趨勢。試驗結果標明：當Ar與O2的份額為100：4，功率為120W，作業壓強為2Pa時，所取得薄膜TCR值遍及較大。 因為熱處理能夠消除薄膜在沉寂過程中發生的內應力，完成晶體結構的重構，然後改進薄膜機械、晶體結構和電學功能等多方麵功能。試驗係統研討了熱處理溫度和熱處理時刻對薄膜功能的影響。 退火溫度和退火時刻對氧化釩薄膜TCR有重要影響，得到了氧化釩薄膜退火後TCR與退火時刻和退火溫度的聯係曲線。 結果標明，氧化釩薄膜的TCR值經熱處理都在-2%/K鄰近，最高的可達-3.6%/K。 運用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線能譜儀(XPS)對熱處理後薄膜進行了進一步的剖析，研討標明選用直流磁控濺射製備辦法和熱處理能夠製備出氧化釩薄膜，晶粒尺度在納米數量級。 運用XPS剖析薄膜成分，發現Ar和02份額是影響氧化釩薄膜成分的最主要要素。
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